• 요약 본 발명은 광소자용 구조물 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 외부로부터 제공되는 열 에너지에 의해 나노 입자가 생성되는 광산란층, 상기 광산란층을 보호하는 보호층 및 상기 광산란층과 상기 보호층 사이에 형성된 캡핑층을 포함한다. 광산란층을 질화물-산화물로 형성함으로써 에너지 갭이 커져 고속의 전자회로에 유리하고, 정량비를 쉽게 만들 수 있다. 또한, 상기 캡핑층에 의해 결정학적인 미스매치가 방지됨으로써 성분 불균일을 방지하여 화학 양론적인 상태를 유지한다. 따라서 박막의 균일성 및 재현성이 우수한 고집적 및 고속의 전자회로를 용이하게 구현할 수 있다. 광산란, 나노 입자, 질화물-산화물, 캡핑층, 투과도
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  • 전략기술 분류 반도체·디스플레이
    A1

  • 특허 강도 지표
    13
    청구항
    4
    인용
    8
    패밀리
    4
    권리이전

  • 출원번호 10-2004-0100429 KIPRIS
  • 출원일 2004-12-02
  • 공개번호 10-2006-0061633
  • 공개일 2006-06-08
  • 공고번호
  • 공고일 2006-12-05
  • 등록번호 10-0653-6510000
  • 등록일 2006-11-28

  • 현재 상태 설정등록

  • IPC 코드 H10N 60/10; H10H 20/00; B82Y 20/00

  • 대리인 신영무
  • 심사관 구본재

  • 원문 보기 KIPRIS 원문