- 요약 본 발명은 고선형 동적 범위를 갖는 2차원 MoS 2 유기 광다이오드 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따르면, 유기 광다이오드 제조 방법으로서, 기판 상에 투명 전극을 형성하는 단계; 상기 투명 전극 상에 전자수송층을 형성하는 단계; 상기 전자수송층 상에 전체 용액 대비 미리 설정된 부피퍼센트를 갖는 MoS 2 가 첨가된 유기 벌크 헤테로접합 유기 광활성층을 형성하는 단계; 상기 유기 광활성층 상에 전하수송층을 형성하는 단계; 및 상기 전하수송층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 광다이오드 제조 방법이 제공된다.
- 대표 청구항
-
대표 도면
-
전략기술 분류
이차전지
디스플레이 - 출원번호 1020250053798 KIPRIS
- 출원일 2025-04-24
- 공개번호
- 공개일 2025-12-19
- 등록번호
- 등록일 2025-12-17
- 우선권 번호 1029031270000
- 우선권 국가
- 우선권 주장일
- 현재 상태 등록
- 현재 권리자
- IPC 코드 H10K 30/30|H10K 30/60|H10K 30/82|H10K 30/85|H10K 30/86|H10K 71/12|H10K 71/60|H10K 85/10|H10K 85/20
NRF-TCC AI 요약 뉴스레터 구독
NRF-TCC AI가 요약해주는 최신 기술이전 동향, 특허 정보, 수익화 프로그램 소식을
매주 월요일 10시에 이메일로 받아보세요.
Copyright ⓒ 한국연구재단 기술사업화센터 (NRF-TCC) All rights reserved.