요약본 발명은 양자컴퓨팅 환경을 위한 극저온 정전압 발생 회로에 관한 것으로, 상온 영역뿐만 아니라 넓은 온도 범위에서 일정한 기준 전압을 유지할 수 있도록 하는 양자컴퓨팅 환경을 위한 극저온 정전압 발생 회로에 관한 것이다. 본 발명에 따른 양자컴퓨팅 환경을 위한 극저온 정전압 발생 회로는 전원이 처음 인가될 때 일정 전류를 제공하여 메인 회로의 트랜지스터를 켜고 회로가 동작하도록 하는 스타트업 회로 및 MOSFET의 게이트-소스 전압으로 절대 온도가 증가함에 따라 감소하는 CTAT성분을 띄는 트랜지스터와 절대 온도에 비례하여 증가하는 열전압의 PTAT성분을 띄는 저항에 걸리는 전압을 조합하여 온도에 독립적인 전압을 생성하는 메인 회로를 포함하여 상온 영역뿐만 아니라 넓은 온도 범위에서 일정한 기준 전압을 유지할 수 있도록 하는 효과가 있다.
