NRF-TCC : 한국연구재단 기술사업화센터

요약 본 개시는 신규한 인듐 전구체를 사용하여, 발광 양자효율이 우수한 양자점을 제공할 수 있으며, 또한 간단한 공정으로, 우수한 분산성으로 갈륨 원자를 포함하는 In(1-x)GaxP 코어의 양자점 제조방법을 제공하는 것이다.

대표 도면

R&D 프로젝트 나노소재기술개발; 기본사업

심판 위험 분석 심판 이력 없음

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인용문헌
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패밀리특허
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전략기술 분류 양자
L1
특허 강도 지표

19

청구항

2

인용

0

패밀리
출원번호 10-2024-0081551 KIPRIS
출원일 2024-06-24
공개번호 10-2025-0003319
공개일 2025-01-07
등록번호
등록일
현재 상태 거절이유통지
IPC 코드 C09K 11/70; C09K 11/02
대리인 특허법인플러스
심사관
원문 보기 KIPRIS 원문