NRF-TCC : 한국연구재단 기술사업화센터

요약 본 발명은, 상면으로부터 제1 방향으로 돌출되며, 서로 이격되는 돌출부들을 포함하는 기판; 상기 기판의 상면을 따라 배치되는 제1 버퍼층; 및 상기 제1 버퍼층 상에 배치되는 자성체층; 을 포함하고, 상기 자성체층은 상기 돌출부들을 따라 절곡되는 나노 구조 영역을 포함하는 자기 메모리 장치를 제공한다.

대표 도면

심판 위험 분석 심판 이력 없음

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전략기술 분류 반도체·디스플레이
A1
특허 강도 지표

10

청구항

0

인용

0

패밀리
출원번호 10-2025-0130130 KIPRIS
출원일 2025-09-11
공개번호 10-2025-0143072
공개일 2025-09-30
등록번호
등록일
현재 상태 공개
IPC 코드 H10N 50/10; H10N 50/80; H10N 50/85; H10B 61/00; G11C 11/16
대리인 특허법인씨엔에스(유)
심사관
원문 보기 KIPRIS 원문
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