요약결정성 IZTO 산화물 반도체 및 이를 구비하는 박막트랜지스터를 제공한다. 상기 박막트랜지스터는 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 중첩하는 IZTO(In-Zn-Sn oxide) 반도체층, 상기 게이트 전극과 상기 IZTO 반도체층 사이에 배치된 게이트 절연막, 및 상기 IZTO 반도체층의 양측 단부들에 각각 접속하는 소오스 및 드레인 전극들을 포함한다. 상기 IZTO 반도체층은 모두 (ZnO)17In2O3 상을 갖는 결정립들을 갖고 C축 방향으로 우선배향된 층이다.
