요약비 포토리소그래피 기반의 랩온어칩용 마이크로채널 형성방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 랩온어칩용 마이크로채널 형성방법은 a) 제1 열가소성 플라스틱 기판 상에 단면이 반원형인 제1 채널 패턴을 음각으로 형성하는 단계; b) 평평한 제2 열가소성 플라스틱을 제1 열가소성 플라스틱 기판 상에 적층한 후, 적층체를 핫 엠보싱 처리하여 제2 열가소성 플라스틱 기판의 표면에 제1 채널 패턴을 양각으로 형성하는 단계; c) 적층체를 냉각 처리한 후에 해체시키고, 제2 열가소성 플라스틱을 몰드로 하여 양각으로 형성된 제1 채널 패턴을 폴리디메틸실록산 기판 상에 전사하는 단계; 및 d) c) 단계를 반복 수행하여 얻어진 한 쌍의 폴리디메틸실록산기판을 제1 채널 패턴이 형성된 면을 마주보도록 하여 접합하는 단계를 포함한다.
대표 도면
R&D 프로젝트여성과학자지원사업; 경기도지역협력연구센터사업 (GRRC)
심판 위험 분석심판 이력 없음
청구항 전체 (6건)
청구항 1
1. 비 포토리소그래피 기반의 랩온어칩용 마이크로채널 형성방법에 있어서,a) 폴리메틸메타크릴레이트 기판 상에 단면이 반원형인 제1 채널 패턴을 음각으로 형성하는 단계;b) 평평한 폴리에틸렌테레프탈레이트 기판을 상기 폴리메틸메타크릴레이트 기판 상에 적층한 후, 상기 적층체를 핫 엠보싱 처리하여 상기 폴리에틸렌테레프탈레이트 기판의 표면에 상기 제1 채널 패턴을 양각으로 형성하는 단계;c) 상기 적층체를 냉각 처리한 후에 해체시키고, 상기 폴리에틸렌테레프탈레이트 기판을 몰드로 하여 양각으로 형성된 상기 제1 채널 패턴을 폴리디메틸실록산 기판 상에 전사하는 단계; 및d) 상기 c) 단계를 반복 수행하여 얻어진 한 쌍의 상기 폴리디메틸실록산 기판을 상기 제1 채널 패턴이 형성된 면을 마주보도록 하여 접합하는 단계를 포함하는 랩온어칩용 마이크로채널 형성방법.
청구항 2
2. 비 포토리소그래피 기반의 랩온어칩용 마이크로채널 형성방법에 있어서,a) 폴리메틸메타크릴레이트 기판 상에 깊이가 상이한 복수의 사각 단면을 갖는 다단형의 제2 채널 패턴을 음각으로 형성하는 단계;b) 평평한 폴리에틸렌테레프탈레이트 기판을 상기 폴리메틸메타크릴레이트 기판 상에 적층한 후, 상기 적층체를 핫 엠보싱 처리하여 상기 폴리에틸렌테레프탈레이트 기판의 표면에 상기 제2 채널 패턴을 양각으로 형성하는 단계;c) 상기 적층체를 냉각 처리한 후에 해체시키고, 상기 폴리에틸렌테레프탈레이트 기판을 몰드로 하여 양각으로 형성된 상기 제2 채널 패턴을 폴리디메틸실록산 기판 상에 전사하는 단계; 및d) 상기 폴리디메틸실록산 기판 상에 평평한 또 다른 폴리디메틸실록산 기판을 접합하는 단계를 포함하는 랩온어칩용 마이크로채널 형성방법.
청구항 3
3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 b) 단계의 핫 엠보싱 처리는 상기 폴리메틸메타크릴레이트 기판의 유리전이온도와 상기 폴리에틸렌테레프탈레이트 기판의 유리전이온도 사이의 온도인 80℃ 이상 105℃ 미만에서 수행되는 랩온어칩용 마이크로채널 형성방법.
청구항 4
4. 삭제
청구항 5
5. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 a) 단계의 채널 패턴은 CNC 밀링(computer numerical control milling)을 이용해 형성되는 랩온어칩용 마이크로채널 형성방법.
청구항 6
6. 청구항 2에 있어서, 상기 다단형의 제2 채널 패턴은 1 이하의 종횡비를 갖도록 형성되는 랩온어칩용 마이크로채널 형성방법.
법적상태 이력 (9건)
2015-03-23
특허출원(PA0109)
특허를 받고자 하는 자는 특허가 담은 발명에 대한 서류를 작성한 특허출원서를 특허청장에게 제출하여야한다.
2015-03-23
심사청구(PA0201)
특허출원 이후 3년 이내에 특허청장에게 그 특허출원에 관하여 출원심사의 청구를 할 수 있고, 다만, 제34조 및 제35조에 따른 정당한 권리자의 특허출원, 분할출원 또는 변경출원에 관하여는 그 기간이 지난 후에도 정당한 권리자가 특허출원을 한 날, 분할출원을 한 날 또는 변경출원을 한 날부터 각각 30일 이내에 출원심사 청구를 할 수 있다. 심사청구가 있을 시에 한하여 특허출원을 심사한다.
2016-02-17
등록결정(PE0701)
심사관은 특허출원에 대해 거절이유를 발견할 수 없는 경우 특허결정을 해야 한다. 특허결정이 있는 경우 특허청장은 그 특허결정의 등본을 출원인에게 송달해야 한다. 특허결정은 그 결정 등본이 송달된 때에 확정된다.
2016-01-05
거절이유통지(PE0902)
심사관은 특허법 제62조(특허거절결정)에 따라 특허거절결정을 하고자 할 때에는 출원인에게 거절이유를 통지하고 기간을 정하여 의견서를 제출할 기회를 주어야 한다. 다만 특허법 제51조(보정각하)에 따라 보정각하결정을 할때는 그러지 아니한다. 심사관이 행하는 거절이유통지는 2종류로 구분되며 그 종류에 따라 출원인이 할 수 있는 명세서 또는 도면의 보정 범위가 다르게 제한된다. 하나는 거절이유통지에 대한 보정에 따라 발생한 거절이유만을 통지하는 거절이유통지(최후거절이유통지)와 다른 하나는 출원인이 처음으로 받거나 최후거절이유통지가 아닌 거절이유통지(최초거절이유통지)를 말한다.
2016-02-24
등록공고(PG1601)
특허권은 설정등록에 의해 발생하며 등록이 있는 때는 그 특허에 관하여 특허공보에 게재하여 등록공고를 하여야 한다. 비밀취급을 요하는 특허발명에 대하여는 비밀취급의 해제시까지 등록공고를 보류하며 그 비밀취급이 해제된 때에는 지체없이 등록공고를 하여야 하며 등록공고가 있는 날부터 3월간 출원서류 및 그 부속물건을 공중의 열람에 제공해야 한다.
2016-02-18
설정등록(PR0701)
특허권은 설정등록에 의해 발생하며, 특허결정이 된 후 출원인이 특허료를 납부하거나 보전한 경우 또는 추가납부하거나 특허료가 면제된 경우에 특허청장은 특허권을 설정하기 위한 등록을 해야 한다.
2016-02-18
등록료납부(PR1002)
특허권의 설정등록을 받으려는 자는 설정등록받으려는 날 부터 3년분의 특허료를 납부한다.특허권의 설정등록을 받고자 하는자 또는 특허권자는 특허료 납부기간이 경과한 후에도 6개월 이내 특허료를 추가 납부할 수 있으며 특허료 추가 납부할 때에는 납부하여야 할 특허료의 2배 이내의 범위에서 납부해야한다. 추가납부기간 이내에 특허료를 납부하지 못한 경우에는 특허권리를 소멸하게 되는데, 이때 특허권자는 추가납부기간 만료일부터 3개월 이내에 특허료의 3배를 납부하고 그 소멸한 권리의 회복을 신청 할 수 있다.
2019-01-29
연차료납부(PR1001)
특허법 제87조 1항에 따른 특허권의 설정등록을 받으려는 자는 설정등록을 받으려는 날부터 3년분의 특허료를 납부해야 하는데, 그 다음 연도분부터는 특허료를 해당 권리의 설정등록일에 해당하는 날을 기준으로 일정기간 내에 매년 1년분씩 납부함으로써 특허권을 유지한다. 연차료의 납부기간의 종류는 아래와 같다.정상납부기간(정상납부만료일 이전), 추가납부기간(추가납부안내서 발송 이후 6개월), 회복납부기간(권리소멸 시점부터 3개월 이내)
2021-02-19
연차료미납(PC1903)
특허권의 설정등록을 받으려는 자는 설정등록받으려는 날 부터 3년분의 특허료를 납부하여야 하고, 특허권자는 그 다음 연도분부터의 특허료를 해당 권리의 설정등록일에 해당하는 날을 기준으로 매년 1년분씩 납부하여야 한다.법 제81조의3(특허료의 추가납부 또는 보전에 의한 특허출원과 특허권의 회복)에 의거하여 추가납부기간 또는 보전기간 만료일 중 늦을 날로 부터 1년이내 납부시 회복이 가능하다.추가납부기간 이내에 특허료를 납부하지 아니한때에는 특허권의 설정등록을 받고자 하는 자의 특허출원은 이를 포기한 것으로 보며, 특허권자의 특허권은 납부된 특허료에 해당되는 기간이 만료되는 날의 다음날로 소급하여 소멸된 것으로 본다.
