요약화합물 반도체 소자의 티형 게이트 제조방법을 제공한다. 본 발명은 화합물 반도체 기판 상에 절연막을 형성한 후, 상기 절연막 상에, 전자빔에 대해서는 양성 특성을 갖고 광에 대해서는 음성 특성을 갖는 레지스트막을 형성한다. 상기 레지스트막을, 광 보다는 정밀한 해상도를 얻을 수 있는 전자빔을 이용하여 1차로 노광 및 현상하여 레지스트막 패턴을 형성한다. 상기 레지스트막 패턴이 형성된 화합물 반도체 기판을 상기 레지스트막 패턴 내에 존재하는 노광원의 반응 물질이 열에 의해 치명적으로 파괴되지 않도록 열처리한다. 다음에, 상기 레지스트막 패턴을 마스크로 상기 절연막을 식각하여 상기 화합물 반도체 기판을 노출하는 제1 개구부를 형성한다. 상기 레지스트막 패턴을 광을 이용하여 2차로 노광 및 현상하여 상기 제1 개구부보다 큰 제2 개구부를 형성한다. 상기 제1 개구부를 매립하면서, 상기 제2 개구부 내부의 상기 절연막 및 상기 레지스트막 패턴 상에 금속층을 형성한다. 상기 레지스트막 패턴을
