NRF-TCC : 한국연구재단 기술사업화센터

기술 세부내용 이차원 반도체 물질을 이용한 수직형 쇼트키 다이오드 및 이의 제조방법의 목적은 고주파 응답 특성이 우수하고, 상대적으로 저온에서 공정이 진행되어 유리 또는 플라스틱과 같은 녹는점이 낮은 재질에서 직접 제조할 수 있는 이차원 반도체 물질을 이용한 수직형 쇼트키 다이오드 및 이의 제조방법

첨부 파일
1020190105778.pdf

지재권 구분 특허
전략기술 분류 고집적, 저항기반 메모리
특허 출원번호 10-2019-0105778 KIPRIS
IPC 코드 h01l29/872
특허 출원일
특허 등록번호 10-2224497
TRL 단계 4단계(실험실 규모의 소재/부품/시스템 핵심성능 평가)
연구실 홈페이지 https://sites.google.com/view/yonsei-edl/home