• 기술 세부내용 길이가 큰 나노와이어 제조 후 초음파를 이용하여 나노와이어 간 충돌을 유도하여 길이가 짧은 나노와이어를 발생시키는 방법
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  • 지재권 구분 특허
  • 전략기술 분류 차세대 고성능센서

  • 특허 출원번호 10-2013-0120040 KIPRIS
  • IPC 코드 B01J19/10
  • 특허 출원일
  • 특허 등록번호 10-1506694

  • TRL 단계 4단계(실험실 규모의 소재/부품/시스템 핵심성능 평가)
  • 연구실 홈페이지 https://sites.google.com/site/cnuwgshin/