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아이소프렌의 선택적 감지용 가스 센서 및 이의 제조 방법
- 기술 세부내용 본 발명은 가스 감응층을 포함하는 가스 센서에 있어서, 상기 가스 감응층은, 복수의 기공을 가지는 복수의 다공성 구조체, 및 상기 기공의 표면에 배치된 금속 촉매를 포함하고, 상기 기공은 50nm 내지 1㎛의 직경을 가지는 아이소프렌의 선택적 감지용 가스 센서를 개시한다.
- 첨부 파일
- 지재권 구분 특허
- 전략기술 분류 기타
- 특허 출원번호 10-2021-0156762 KIPRIS
- IPC 코드
- 특허 출원일
- 특허 등록번호
- TRL 단계
- 연구실 홈페이지
- 기술 담당자 정보
- 고려대학교
- 김수아
- 변리사
- sooakim@korea.ac.kr
- 02-3290-5835

































































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