기술 세부내용유전율이 10 이상인 비정질 탄화수소로 이루어진 새로운 고유전율 유전체층을 기술하여 고유전율의 필요성에 대한 해결책을 제공함.
낮은 누설 전류, 및 반도체 및 커패시터 소자에서의 높은 절연 강도. 상기 고유전율 유전체 층은 온도 등의 제어된 변수를 가진 플라즈마 반응기와 탄화수소 및 수소 가스의 조합을 사용하여 형성된다, 압력, 및 플라즈마 강도. 결과적인 층은 10 이상, 낮은 누설 전류 (1 A/㎠이하), 및 높은 절연 강도 (1 MV/㎟이상)의 유전 상수를 나타냄.
10 nm 미만의 노드 크기에서도 우수한 성능을 보이는 다양한 반도체 장치에 적용될 수 있으며, 금속 절연체 반도체 요소에서 그것의 적용의 예와 함께, 고유전율 유전체층의 특성 및 특성에 대한 상세한 분석을 추가로 포함함.
