
- 기술 세부내용 대면적 단결정시료 중 쌍정결함밀도의 정량적 평가 가능 - 결정 시료 중 쌍정결함밀도를 평가하는 방법에 있어 단결정의 관찰면을 에칭하여 에치핏을 형성하는 단계, - 쌍정결함에 의한 바 형태의 에치핏을 선별하는 단계, 상기 쌍정결함에 의한 에치핏의 장축방향 길이로부터 쌍정결함밀도를 평가하는 방법 - 쌍정결함에 의한 에치핏은 바 형태를 나타내었으며, 에칭 시간이 경과함에 따라 단축방향의 길이인 폭은 증가하나, - 장축 방향의 길이는 변화가 없음. 쌍정결함의 밀도는 시료 내 포함된 에치핏의 장축 방향 길이의 합으로부터 계산 가능함을 도출 쌍정결함밀도 정량적 평가 방법 - 쌍정결함밀도 = Σkx'i/시료의 면적 (2≤k≤3이고, x'i는 i번째 쌍정결함에 의한 에치핏의 장축 방향 길이)
- 첨부 파일
- 지재권 구분 특허
- 전략기술 분류 반도체, 디스플레이 소재, 부품, 장비
- 특허 출원번호 10-2019-0043062 KIPRIS
- IPC 코드 g01n21/95
- 특허 출원일
- 특허 등록번호 10-2012809
- TRL 단계 3단계(실험실 규모의 기본성능 검증)
- 연구실 홈페이지 http://niml.cnu.ac.kr/
- 기술 담당자 정보
- 충남대학교
- 김홍직
- 사무원
- honjik@cnu.ac.kr
- 042-821-7219



































































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