• 기술 세부내용 열증착 공정을 이용하여 페로브스카이트 광소자 제조 방법 개발 - 열증착 공정을 이용하여 서로 다른 조성을 갖는 복수의 서브층으로 이루어지는 페로브스카이트층을 포함하는 페로브스카이트 광소자를 제조할 수 있는 페로브스카이트 광소자 제조 방법 개발 - 투명 전극의 상면에 홀 수송층을 원자층 증착 공정으로 형성하는 홀 수송층 형성 단계 , - 홀 수송층의 상부에 서로 다른 조성을 가지는 적어도 2개의 서브층으로 이루어지는 페로브스카이트층을 열증착 공정으로 형성하는 페로브스카이트층 형성, - 페로브스카이트층의 상면에 LiF층을 열증착 공정 또는 원자층 증착 공정으로 형성하는 LiF층 형성 단계, LiF층의 상부에 전자 수송층을 원자층 증착 공정으로 형성하는 전자 수송층 형성 단계로 구성
  • 지재권 구분 특허
  • 전략기술 분류 반도체, 디스플레이 소재, 부품, 장비

  • 특허 출원번호 10-2023-0005354 KIPRIS
  • IPC 코드 h10k30/57
  • 특허 출원일
  • 특허 등록번호 10-2700415

  • TRL 단계 3단계(실험실 규모의 기본성능 검증)
  • 연구실 홈페이지 https://arrigo5.wixsite.com/selab