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열증착 공정을 이용한 페로브스카이트 광소자 제조 방법
- 기술 세부내용 열증착 공정을 이용하여 페로브스카이트 광소자 제조 방법 개발 - 열증착 공정을 이용하여 서로 다른 조성을 갖는 복수의 서브층으로 이루어지는 페로브스카이트층을 포함하는 페로브스카이트 광소자를 제조할 수 있는 페로브스카이트 광소자 제조 방법 개발 - 투명 전극의 상면에 홀 수송층을 원자층 증착 공정으로 형성하는 홀 수송층 형성 단계 , - 홀 수송층의 상부에 서로 다른 조성을 가지는 적어도 2개의 서브층으로 이루어지는 페로브스카이트층을 열증착 공정으로 형성하는 페로브스카이트층 형성, - 페로브스카이트층의 상면에 LiF층을 열증착 공정 또는 원자층 증착 공정으로 형성하는 LiF층 형성 단계, LiF층의 상부에 전자 수송층을 원자층 증착 공정으로 형성하는 전자 수송층 형성 단계로 구성
- 첨부 파일
- 지재권 구분 특허
- 전략기술 분류 반도체, 디스플레이 소재, 부품, 장비
- 특허 출원번호 10-2023-0005354 KIPRIS
- IPC 코드 h10k30/57
- 특허 출원일
- 특허 등록번호 10-2700415
- TRL 단계 3단계(실험실 규모의 기본성능 검증)
- 연구실 홈페이지 https://arrigo5.wixsite.com/selab
- 기술 담당자 정보
- 충남대학교
- 김홍직
- 사무원
- honjik@cnu.ac.kr
- 042-821-7219



































































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