기술 세부내용그래핀 기반의 박막 트랜지스터(TFT, thin film transistor) 개발
- 본 발명의 박막 트랜지스터는 게이트전극; 상기 게이트전극 위에 위치한 게이트절연층; 상기 게이트절연층 위의 일부 영역에 위치하며,
- 무산소 분위기에서 상기 게이트 절연층 위에 Ti층이 증착된 후 연속해서 그래핀층이 직접 생성되고
- 도핑된 '질소-도핑 그래핀층/TiO2-x층'을 포함하는 활성층; 상기 활성층의 일측 영역 위에 위치한 제1전극; 상기 활성층의 타측 영역 위에 위치한 제2전극;을 포함
- 전하이동속도가 빠르면서 온/오프 비가 충분히 높아 고집적 반도체, 트랜지스터 등으로 활용 가능
