• 기술 세부내용 금속 나노와이어층 형성 단계, 불필요한 금속 나노와이어 제거 단계, 제거된 금속 나노와이어 전착 단계를 통해 금속 나노와이어 패턴을 형성하는 방법 진공여과 방식을 통해 금속 나노와이어 용액으로부터 금속 나노와이어를 여과하는 방식으로, 건조 시간이 단축되거나 건조 공정이 배제되어 공정시간 단축 가능 금속 나노와이어층을 액상 용매에 침지한 후 레이저를 조사하여 불필요한 금속 나노와이어를 제거하기 때문에, 분리된 금속 나노와이어 입자 재사용 가능 전기 영동 증착법을 통해 제거된 금속 나노와이어 입자가 나노와이어 패턴에 전착되어 금속 나노와이어 패턴 결합력 강화 레이저 과정에서 기화되는 금속 나노와이어가 없으며 분리된 금속 나노와이어 입자를 재사용할 수 있기 때문에, 최소 용량으로 높은 품질의 금속 나노와이어 패턴 생성 가능
  • 지재권 구분 특허
  • 전략기술 분류 차세대 이차전지 소재, 셀

  • 특허 출원번호 10-2020-0177697 KIPRIS
  • IPC 코드 H01B13/00
  • 특허 출원일
  • 특허 등록번호 10-2487098

  • TRL 단계 4단계(실험실 규모의 소재/부품/시스템 핵심성능 평가)
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