• 기술 세부내용 본 기술은 리튬 전구체의 함량을 화학양론비 대비 소량 낮추는 결핍 설계를 도입하여 소재 내부의 매크로/마이크로 기공 비율을 최적화하고, 이를 통해 입자 표면에 안정한 스피넬 구조를 형성하고 리튬 이온 이동 속도를 향상시켜, 고용량 특성을 유지하면서도 수명 안정성과 초기 쿨롱 효율을 획기적으로 개선시키는 것을 특징으로 함
  • 지재권 구분 특허
  • 전략기술 분류 차세대 이차전지 소재, 셀

  • 특허 출원번호 10-2025-0036665 KIPRIS
  • IPC 코드 H01M4/525
  • 특허 출원일
  • 특허 등록번호 10-2893681

  • TRL 단계 4단계(실험실 규모의 소재/부품/시스템 핵심성능 평가)
  • 연구실 홈페이지 https://www.energyscilab.com/
  • 기술 담당자 정보

  • 디앤특허법률사무소
  • 김성현
  • 주임
  • ip@dnpat.com