NRF-TCC : 한국연구재단 기술사업화센터

기술 세부내용 본 기술은 표면 리간드 및 결함이 제어된 양자점을 활성층으로 포함하는 고성능 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 광검출기 제조 기술에 관한 것으로, 양자점의 표면을 제어하여 전하 포획 현상을 최소화하고 전하 이동도를 향상시키며, 추가적으로 기체상 H2S 등의 황 처리를 통해 트랜지스터의 전도성 및 광응답 특성을 수십 배 이상 극대화하는 것을 특징으로 함

첨부 파일
표면·결함 제어 기반 고성능 양자점 전자·광 응답 기술.pdf

지재권 구분 특허
전략기술 분류 기타
특허 출원번호 10-2023-0033012 KIPRIS
IPC 코드 H01L31/103
특허 출원일
특허 등록번호 10-2742451
TRL 단계 4단계(실험실 규모의 소재/부품/시스템 핵심성능 평가)
연구실 홈페이지 http://cutieqd.skku.edu/