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대학 국가전략기술 정보
기술도입 신청
기술도입 상담 절차
상담이 접수되면, 대학이 대상 기술을 선별하여 기업에 정보 제공 후, 기술도입 상담을 진행합니다.
① 상담신청(기업)
② 수요공유(전국 대학)
③ 기술정보 제공(대학→기업)
④ 기업-대학 상담
한국연구재단 기술사업화센터 서용태 변리사 Email. ytseo@nrf.re.kr Tel. 042-869-6409
선택된 기술
광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자
고려대학교
10-2010-0110762
연차료미납
H10H 20/831; H10H 20/833; H10H 20/819
수요기술 정보
수요기술명
전략기술 분류1
전략기술 분류1 선택
반도체·디스플레이 (A)
이차전지 (B)
첨단모빌리티 (C)
차세대 원자력 (D)
첨단 바이오 (E)
우주항공·해양 (F)
수소 (G)
사이버보안 (H)
인공지능 (I)
차세대 통신 (J)
첨단로봇·제조 (K)
양자 (L)
기타 (M)
전략기술 분류2
전략기술 분류2 선택
고집적, 저항기반 메모리 (A01)
고성능, 저전력 인공지능 반도체 (A02)
전력반도체 (A03)
반도체 첨단패키징 (A04)
차세대 고성능센서 (A05)
프리폼 디스플레이 (A06)
무기발광 디스플레이 (A07)
반도체, 디스플레이 소재, 부품, 장비 (A08)
반도체·디스플레이 기타 (A99)
활용계획
수요내용
【 도입 희망 기술 정보 】 · 기술명: 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자 · 출원기관: 고려대학교 · 출원번호: 10-2010-0110762 · 출원일: 2010-11-09 · 법적상태: 연차료미납 · IPC 분류: H10H 20/831; H10H 20/833; H10H 20/819 【 기술 요약 】 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자가 개시된다. 본 발명에 따른 반도체 발광소자는 기판, 제 1 전극, 및 한 쌍의 제 2 전극을 포함한다. 기판은 제 2 질화물 반도체층, 활성층, 제 1 질화물 반도체층, 및 투명 전극층이 순차적으로 적층되어 있고, 제 1 전극은 기판의 중심점을 가로지르며, 기판의 중심점에 대해서 대칭인 ''S''자 형상이고, 한 쌍의 제 2 전극은 제 1 전극의 양단부를 각각 감싸며, 기판의 중심점을 기준으로 서로 대칭이며, 양단부가 기판의 중심점을 기준으로 서로 다른 사분면에 배치되고, 제 1 전극 및 한 쌍의 제 2 전극 중, 하나는 상기 제 2 질화물 반도체층에 전기적으로 접촉되도록 형성되며, 나머지 하나는 투명 전극층 위에 형성된다. 이러한 구성으로 인해, 반도체 발광소자의 일부를 제거하지 않고도 소자 내부의 열 발생을 억제할 수 있으며, 전자와 정공의 직접적인 반응이 일어나는 활성층 영역을 제거하지 않으므로, 유효발광면적을 유지할 【 도입 계획 및 활용 목적 】 (도입 후 활용 계획을 자세히 입력해주세요.)
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