산소면적밀도 조절 기술이 적용된 소스와 드레인 컨택의 금속-유전층-반도체 구조를 갖는 산화물 반도체 트랜지스터 및 그 제조 방법
고려대학교 산학협력단
유현용, 김종현, 송성주, 김상필, 진동규
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요약본 발명의 산화물 반도체 트랜지스터는 산화물 반도체층; 산화물 반도체층의 양단에 연결되는 소스 전극과 드레인 전극; 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 상기 산화물 반도체층 사이에 마련되며, 상기 산화물 반도체층과의 OAD 값 차이로 인해 상기 산화물 반도체층에 국부적인 도핑 농도를 증가시키는 기능층; 및 상기 산화물 반도체층과 적어도 일부가 중첩하는 게이트 전극을 포함하며, 상기 산화물 반도체층의 국부적인 도핑 농도 증가로 인해, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 상기 산화물 반도체층 사이의 접촉 저항이 감소될 수 있다.
대표 청구항산화물 반도체층; 산화물 반도체층의 양단에 연결되는 소스 전극과 드레인 전극; 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 상기 산화물 반도체층 사이에 마련되며, 상기 산화물 반도체층과의 OAD 값 차이로 인해 상기 산화물 반도체층에 국부적인 도핑 농도를 증가시키는 기능층; 및 상기 산화물 반도체층과 적어도 일부가 중첩하는 게이트 전극을 포함하며, 상기 산화물 반도체층의 국부적인 도핑 농도 증가로 인해, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 상기 산화물 반도체층 사이의 접촉 저항이 감소되는 산화물 반도체 트랜지스터.
