포토리소그래피용 레지스트 화합물 및 언더레이어 화합물, 이를 이용하여 형성된 다층 구조 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
인하대학교 산학협력단
이진균, 구예진, 안형주
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요약레지스트 패턴의 해상도 및 감도를 향상시킬 수 있고 레지스트 패턴의 붕괴를 억제할 수 있는, 레지스트 화합물 및 언더레이어 화합물이 제공된다. 상기 언더레이어 화합물은 적어도 하나의 하이드록시기(hydroxyl group, -OH) 및 적어도 하나의 비닐 실릴기(vinyl silyl group)를 갖는 셀룰로오스 구조를 포함한다. 상기 레지스트 화합물은 짝음이온을 갖는 알킬화 금속산화물 나노클러스터를 포한다.
대표 청구항화학식1의 구조를 포함하는 포토리소그래피용 언더레이어 화합물. [화학식1] 상기 화학식1에서, R1, R2 및 R3는 각각 독립적으로 수소 또는 중수소이거나 화학식2, 화학식3 또는 화학식4로 표시되는 작용기이고, n은 2 내지 10,000의 정수이다. [화학식2] [화학식3] [화학식4] 상기 화학식2 및 상기 화학식4에서, m은 1 내지 20의 정수이고, 상기 화학식3 및 상기 화학식4에서, R4, R5, R6, R7 및 R8은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 또는 탄소수 1 내지 3의 알킬기이고, 상기 화학식2 내지 상기 화학식4에서, *는 상기 화학식1의 산소에 결합되는 부분이다.
