요약3차원적으로 배열되는 메모리 셀들을 포함하는 반도체 메모리 장치 및 그를 포함하는 전자 시스템이 제공된다. 반도체 메모리 장치는, 기판, 기판 상에, 서로 이격되어 차례로 적층되는 복수의 게이트 전극들 및 복수의 게이트 전극들을 관통하는 채널 구조체를 포함하되, 채널 구조체는, 복수의 게이트 전극들의 측면 상에 차례로 적층되는 정보 저장막, 제1 반도체층, 절연층 및 제2 반도체층을 포함한다.
대표 청구항기판;상기 기판 상에, 서로 이격되어 차례로 적층되는 복수의 게이트 전극들; 및 상기 복수의 게이트 전극들을 관통하는 채널 구조체를 포함하되,상기 채널 구조체는,상기 복수의 게이트 전극들의 측면 상에 차례로 적층되는 정보 저장막, 제1 반도체층, 절연층 및 제2 반도체층을 포함하는, 반도체 메모리 장치.
