• 요약 본 발명의 목적은 대면적화가 용이한 유전장벽방식의 플라즈마 소스에 대해 방전 기체를 전극에 직접 공급할 수 있는 새로운 구조의 플라즈마 소스를 제공하고자 하는 것이다. 상기 목적에 따라 본 발명은 두께가 있는 유전체 기판에 관통구로 된 기체주입구를 하나 이상 형성하고, 상기 기체주입구 내벽에 제1 전극을 형성하고, 상기 기판 면에서 제1 전극이 형성된 기체주입구 둘레에 제2 전극을 형성하여 제1 전극과 제2 전극에 전압을 인가하고 상기 기체주입구를 통해 기체를 공급함으로써, 기체주입구 내부에서 유전장벽방전을 일으켜 플라즈마를 형성하고 기체주입구로부터 제2 전극 쪽으로 플라즈마가 방출되게 한 것을 특징으로 하는 플라즈마 샤워기를 제공한다.
  • 대표 도면
  • R&D 프로젝트 해외우수연구기관유치사업
  • 심판 위험 분석 심판 이력 없음
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  • 전략기술 분류 반도체·디스플레이
    D1

  • 특허 강도 지표
    5
    청구항
    12
    인용
    0
    패밀리
    8
    권리이전

  • 출원번호 10-2018-0093454 KIPRIS
  • 출원일 2018-08-10
  • 공개번호 10-2020-0017903
  • 공개일 2020-02-19
  • 등록번호 10-2139-4150000
  • 등록일 2020-07-23

  • 현재 상태 연차료납부

  • IPC 코드 H05H 1/24

  • 대리인 주은희
  • 심사관 이민형

  • 원문 보기 KIPRIS 원문