• 요약 주석-텔루륨-산화물 반도체 박막의 제조 방법이 제공된다. 상기 주석-텔루륨-산화물 반도체 박막의 제조 방법은, 주석(Sn)을 포함하는 제1 타겟을 준비하는 단계, 텔루륨(Te)을 포함하는 제2 타겟을 준비하는 단계, 상기 제1 타겟 및 상기 제2 타겟을 이용한 스퍼터링(sputtering) 방법으로 기판 상에 주석, 텔루륨, 및 산소(O)를 포함하는 물질막을 형성하는 단계, 및 상기 물질막을 열처리하는 단계를 포함할 수 있다.
  • 대표 청구항
  • 대표 도면
  • 전략기술 분류 반도체·디스플레이
    반도체 첨단패키징

  • 출원번호 10-2024-0074682 KIPRIS
  • 출원일 2024-06-10
  • 공개번호 10-2025-0175411
  • 공개일 2025-12-17
  • 등록번호
  • 등록일 1900-01-01
  • 우선권 번호
  • 우선권 국가
  • 우선권 주장일

  • 현재 상태 공개
  • 현재 권리자
  • IPC 코드 H10D 48/043|H01L 21/02|H01L 21/324