- 요약 본 발명에 따른 투명 전극의 제조 방법은, 산화 주석 소스 타겟을 준비하는 단계, 상기 산화 주석 소스 타겟을 스퍼터링 장비에 배치하는 단계, 상기 산화 주석 소스 타겟에 파워를 인가하여, 예비 투명 전극을 제조하는 단계, 및 상기 예비 투명 전극을 열처리하여, 투명 전극을 제조하는 단계를 포함하고, 상기 산화 주석 소스 타겟에 파워를 인가하여 상기 예비 투명 전극을 제조하는 단계에서, 비활성 혼합가스가 제공되는 것을 포함하고, 상기 비활성 혼합가스는 Ar 및 N 2 을 포함하고 상기 비활성 혼합가스의 N 2 분압은, 30% 이하로 제어되는 것을 포함할 수 있다.
- 대표 청구항
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대표 도면
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전략기술 분류
반도체·디스플레이
반도체 첨단패키징 - 출원번호 10-2024-0005914 KIPRIS
- 출원일 2024-01-15
- 공개번호 10-2025-0111468
- 공개일 2025-07-22
- 등록번호
- 등록일 1900-01-01
- 우선권 번호
- 우선권 국가
- 우선권 주장일
- 현재 상태 공개
- 현재 권리자
- IPC 코드 H01B 13/00|C23C 14/14|H01B 5/00|H01B 1/08|C23C 14/35
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