요약반도체 소자는, 기판 상에 제1 절연막, 상기 제1 절연막 상에 하부 게이트 패턴, 상기 하부 게이트 패턴 측벽을 덮는 제2 절연막, 상기 하부 게이트 패턴 및 제2 절연막 상에 제1 하부 게이트 절연막, 상기 제1 하부 게이트 절연막 상에 구비되고, 상기 하부 게이트 패턴과 대향하는 부위에 트렌치를 포함하도록 서로 이격되게 배치되는 소오스 패턴 및 드레인 패턴, 상기 소오스 패턴 및 드레인 패턴의 표면 및 트렌치의 저면의 표면 프로파일을 따라 형성되는 산화물 반도체막, 상기 산화물 반도체막 상에 구비되는 상부 게이트 절연막 및 상기 상부 게이트 절연막 상에 상기 트렌치 내부를 채우는 상부 게이트 패턴을 포함한다.
대표 청구항기판 상에 구비되는 제1 절연막; 상기 제1 절연막 상에 구비되는 하부 게이트 패턴; 상기 하부 게이트 패턴 측벽을 덮는 제2 절연막; 상기 하부 게이트 패턴 및 제2 절연막 상에 제1 하부 게이트 절연막; 상기 제1 하부 게이트 절연막 상에 구비되고, 상기 하부 게이트 패턴과 대향하는 부위에 트렌치를 포함하도록 서로 이격되게 배치되는 소오스 패턴 및 드레인 패턴; 상기 소오스 패턴 및 드레인 패턴의 표면 및 트렌치의 저면의 표면 프로파일을 따라 형성되는 산화물 반도체막; 상기 산화물 반도체막 상에 구비되는 상부 게이트 절연막; 및 상기 상부 게이트 절연막 상에 구비되고, 상기 트렌치 내부를 채우는 상부 게이트 패턴을 포함하는 반도체 소자.
