고이동도와 고신뢰성을 갖는 IGZO 박막 및 그 제조 방법, 그리고 이를 포함하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터.
한양대학교 산학협력단
박진성, 김윤서, 오혜진
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요약IGZO 물질막의 제조 방법이 제공된다. 상기 IGZO 물질막의 제조 방법은, 기판을 준비하는 단계, 및 상기 기판 상에, 인듐(In) 포함하는 제1 전구체, 갈륨(Ga)을 포함하는 제2 전구체, 아연(Zn)을 포함하는 제3 전구체, 및 산소 플라즈마(O2 plasma)를 반응시켜 IGZO 물질막을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 산소 플라즈마의 플라즈마 밀도(plasma density)를 제어하여 상기 IGZO 물질막의 전기적 특성을 향상시키는 것을 포함할 수 있다.
대표 청구항기판을 준비하는 단계; 및 상기 기판 상에, 인듐(In) 포함하는 제1 전구체, 갈륨(Ga)을 포함하는 제2 전구체, 아연(Zn)을 포함하는 제3 전구체, 및 산소 플라즈마(O2 plasma)를 반응시켜 IGZO 물질막을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 산소 플라즈마의 플라즈마 밀도(plasma density)를 제어하여 상기 IGZO 물질막의 전기적 특성을 향상시키는 것을 포함하는 IGZO 물질막의 제조 방법.
