요약질소면 질화물 반도체의 제조방법 및 이로부터 제조된 질소면 질화물 반도체 소자를 개시한다. 질소면 질화물 반도체의 제조방법은 기판을 준비하는 단계; 및 상기 기판 상에 펄스 성장 모드를 이용하여 N-분극(N-polar) 질화물 반도체층을 형성하는 단계; 를 포함하고, 상기 N-분극 질화물 반도체층을 형성하는 단계는 기상증착 공정에서 V족 원소 전구체, 3족 원소 전구체 또는 이 둘 모두를 펄스 모드로 공급하는 것일 수 있다.
대표 청구항기판을 준비하는 단계; 및 상기 기판 상에 펄스 성장 모드를 이용하여 N-분극(N-polar) 질화물 반도체층을 형성하는 단계; 를 포함하고, 상기 N-분극 질화물 반도체층을 형성하는 단계는 기상증착 공정에서 V족 원소 전구체, 3족 원소 전구체 또는 이 둘 모두를 펄스 모드로 공급하는 것인, 질소면 질화물 반도체의 제조방법.
