요약본 발명은 n형 산화물 반도체 층과 하프니아계 강유전체층 사이에 p형 산화물 반도체 층을 추가로 삽입한 산화물 반도체 기반의 강유전성 반도체 소자에 관한 것으로, 본 발명에 따른 산화물 반도체 기반의 강유전성 반도체 소자에 의하면, p형 산화물 반도체 층의 높은 정공 밀도로 인해 소거 동작이 이루어지도록 함으로써 강유전성 반도체 소자의 안정성을 유지하면서도 메모리 윈도우의 크기를 개선시킬 수 있는 효과가 있다.
대표 청구항산화물 반도체 기반의 강유전성 반도체 소자에 있어서, 상기 반도체 소자는, 기판; 상기 기판의 상부 일부에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극의 상부에 형성된 강유전체층; 상기 강유전체층의 상부에 형성된 p형 산화물 반도체층; 상기 p형 산화물 반도체층의 상부에 형성된 n형 산화물 반도체층; 및 상기 n형 산화물 반도체층의 상부에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극;을 포함하는 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 기반의 강유전성 반도체 소자.
