요약본 발명은 비정질 텔루륨 옥사이드를 포함하는 반도체층, 그를 포함하는 박막트랜지스터 및 그의 제조방법이 개시된다. 상기 반도체는 황 원자(S) 및 셀레늄 원자(Se)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 칼코겐 원자; 및 텔루륨(Te) 원자 및 텔루륨 옥사이드를 포함하는 텔루륨 복합체;를 포함함으로써, TeOx 채널 층을 기반으로 제작된 박막트랜지스터(TFT)는 높은 정공 전계 효과 이동도 및 ~107의 높은 온/오프 전류 비율로 우수한 출력/전달 특성과 우수한 전기적 성능을 나타내는 효과가 있다.
대표 청구항황 원자(S) 및 셀레늄 원자(Se)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 칼코겐 원자; 및텔루륨(Te) 원자 및 텔루륨 옥사이드를 포함하는 텔루륨 복합체;를포함하는 반도체.
