광 다이오드용 양자점 반사 방지막, 이의 제조 방법 및 반사 방지막을 포함하는 광 다이오드
한국전력공사, 홍익대학교 산학협력단
차호영, 양희선
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요약본 발명은 평균 입경(D50) 2 nm 내지 50 nm인 산화 아연 양자점 입자가 5 nm 내지 50 nm의 두께로 나노 어레이되어 형성된 나노 구조체막을 포함하는 광 다이오드용 양자점 반사 방지막, 이의 제조 방법 및 상기 반사 방지막을 포함하는 광 다이오드에 관한 것이다.
대표 청구항평균 입경(D50) 2 nm 내지 50 nm인 산화 아연 양자점 입자가 5 nm 내지 50 nm의 두께로 나노 어레이되어 형성된 나노 구조체막을 포함하고,상기 나노 구조체막은 하기 식 1을 만족하도록 나노 어레이된 것이고, 입사각 20°내지 60°에서 파장 250 nm 내지 370 nm의 빛에 대하여 하기 식 2에 따라 측정한 반사율이 차이값이 20 이하인 것인,광 다이오드용 양자점 반사 방지막:<식 1>양자점 입자의 평균 배열 간격 (nm) < 나노 구조체막의 입사되는 파장 (nm)<식 2>반사율 차이값 = │( RD60 - RD20 )│상기 식 1에서 입자의 배열 간격은 어느 하나의 입자가 다른 입자와 일정 간격을 이루는 것이고,상기 식 2에서, RD60은 입사각 60°에서 파장 250 nm 내지 370 nm의 빛에 대하여 측정된 반사율(%)이고, RD20은 입사각 20°에서 파장 250 nm 내지 370 nm의 빛에 대하여 측정된 반사율(%)임.
