요약본 발명은 양자점 박막 기반의 광증폭 센서 및 이의 제조방법을 개시한다. 본 발명은 기판 상에 형성되는 하부 전극; 상기 하부 전극 상에 형성되는 전자 수송층; 상기 전자 수송층 상에 형성되고, 제1 리간드로 치환된 제1 양자점을 포함하는 광활성층; 상기 광활성층 상에 형성되고, 제2 리간드로 치환된 제2 양자점을 포함하는 정공 수송층; 및 상기 정공 수송층 상에 형성되는 상부 전극;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
대표 청구항기판 상에 형성되는 하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성되는 전자 수송층;상기 전자 수송층 상에 형성되고, 제1 리간드로 치환된 제1 양자점을 포함하는 광활성층;상기 광활성층 상에 형성되고, 제2 리간드로 치환된 제2 양자점을 포함하는 정공 수송층; 및상기 정공 수송층 상에 형성되는 상부 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 박막 기반의 광증폭 센서 .
