요약니켈-코발트 합금/산화갈륨 쇼트키 배리어 다이오드 제조 방법은 n+ 산화갈륨 기판상에 n형 도펀트로 도핑된 산화갈륨을 에피택셜 성장시켜 n- 산화갈륨 에피층을 형성하는 단계, 상기 n- 산화갈륨 에피층상에 니켈-코발트 타겟을 스퍼터링하여 니켈-코발트 금속층을 증착하는 단계 및 상기 니켈-코발트 금속층이 형성된 n+ 산화갈륨 기판을 후 열처리하는 단계를 포함할 수 있다.
대표 청구항n+ 산화갈륨 기판상에 n형 도펀트로 도핑된 산화갈륨을 에피택셜 성장시켜 n- 산화갈륨 에피층을 형성하는 단계;상기 n- 산화갈륨 에피층상에 니켈-코발트 타겟을 스퍼터링하여 니켈-코발트 금속층을 증착하는 단계; 및상기 니켈-코발트 금속층이 형성된 n+ 산화갈륨 기판을 후 열처리하는 단계를 포함하는 니켈-코발트 합금/산화갈륨 쇼트키 배리어 다이오드 제조 방법.
