요약본 발명의 시냅스 소자는 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 배치되는 유전층; 상기 유전층 상에 배치되는 채널층; 상기 채널층 상에 배치되고, 산소 공공(oxygen vacancy)을 포함하는 전하 트랩층; 및 상기 전하 트랩층 상에 배치되고 상호 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함할 수 있다. 본 발명의 시냅스 소자의 제조 방법은 유전층이 형성된 게이트 전극을 준비하는 단계; 상기 유전층 상에 채널층을 형성하는 단계; 상기 채널층 상에 스퍼터링 공법으로 전하 트랩층을 형성하는 단계; 및 상기 전하 트랩층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
