요약본 발명의 일 실시예에 의한 자기 랜덤 액세스 메모리를 위한 컴퓨팅 인 메모리 동작 제어 방법은, 자기 랜덤 액세스 메모리를 위한 컴퓨팅 인 메모리 동작 제어 방법으로서, 상기 자기 랜덤 액세스 메모리는, 복수의 센스 증폭기 및 각각의 센스 증폭기의 레퍼런스 입력 단자에 연결된 복수의 레퍼런스 셀들을 각각 포함하는 복수의 전류 평균(CM: Current Mean) 레퍼런스-비트라인(Ref-BL) 구조를 포함하고, 컨트롤러가, 메모리 읽기 동작, 로직 OR 연산 동작 또는 로직 AND 연산 동작 신호가 입력되는지를 판단하는 단계; 및 상기 컨트롤러가, 상기 메모리 읽기 동작, 상기 로직 OR 연산 동작 또는 상기 로직 AND 연산 동작 신호 각각에 따라, 대응하는 개수의 레퍼런스-비트라인 구조를 비활성화하는 단계를 포함할 수 있다.
