NRF-TCC : 한국연구재단 기술사업화센터

요약 본 발명은 A 사이트에 2가의 Sn를 포함하는 안정한 페로브스카이트 ABO 3 의 물질의 제조 방법 및 이의 제조 방법을 통해 제조된 페로브스카이트 화합물을 제공하는 것이다. 본 발명은 미스트 화학기상증착 방법을 통해 제조함을 특징으로 하며, 종래기술 대비 Sn 2+ 이온이 높은 안정성을 가지며 A 사이트에 존재하며, 이를 통해 큰 밴드갭 및 우수한 광투과도 등의 효과를 제공할 수 있다.

대표 청구항

대표 도면

전략기술 분류 반도체·디스플레이
고성능, 저전력 인공지능 반도체
출원번호 10-2025-0030899 KIPRIS
출원일 2025-03-10
공개번호 10-2025-0141619
공개일 2025-09-29
등록번호
등록일 1900-01-01
우선권 번호
우선권 국가
우선권 주장일
현재 상태 공개
현재 권리자
IPC 코드 H10F 71/00|H10F 10/17|H10F 77/12