NRF-TCC : 한국연구재단 기술사업화센터

요약 본 발명에 따른 저전력 셀렉터를 구비한 저항 메모리가 제공된다. 상기 저항 메모리는 상부 전극; 상기 상부 전극의 하부에 배치되고, 엣지 영역에 그래핀 전극(graphene electrode)이 형성된 그래핀 층(graphene layer); 및 상기 상부 전극과 상기 그래핀 전극 사이에 형성된 셀렉터로 이루어진 셀렉터 층(selector layer)을 포함할 수 있다.

대표 도면

R&D 프로젝트 이공학학술연구기반구축(R＆D); 전자정보디바이스산업원천기술개발(R＆D)

심판 위험 분석 심판 이력 없음

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인용문헌
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패밀리특허
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권리이전 이력
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전략기술 분류 반도체·디스플레이
A1
특허 강도 지표

17

청구항

4

인용

1

패밀리

3

권리이전
출원번호 10-2021-0167417 KIPRIS
출원일 2021-11-29
공개번호 10-2021-0148060
공개일 2021-12-07
등록번호 10-2442-1980000
등록일 2022-09-05
현재 상태 연차료납부
IPC 코드 H10N 70/00; G11C 13/00
대리인 김홍석
심사관 임창연
원문 보기 KIPRIS 원문