요약개시된 실시예는 고착 결함을 갖는 메모리 셀의 고착 값과 학습에 의해 미리 결정된 DNN의 가중치가 매칭되도록 메모리 셀의 어드레스를 재맵핑함으로써, 고착 결함이 발생된 메모리 셀이 가능한 정상 메모리 셀과 같이 동작하도록 하여 데이터 오류를 저감시켜 내결함성과 신뢰성을 향상시킬 수 있는 DNN을 위한 비휘발성 메모리 장치 및 이의 신뢰도 개선 방법을 제공한다.
대표 청구항다수의 메모리 셀을 구비하는 셀 어레이; 및 저장될 메모리 셀을 지정하는 어드레스에 각각 맵핑된 다수의 가중치를 인가받고, 다수의 비트 구성된 보조 비트를 기반으로 상기 어드레스를 인코딩하여 획득된 인코딩 어드레스를 상기 가중치에 재맵핑하며, 상기 다수의 메모리 셀 중 상기 인코딩 어드레스에 따라 선택된 메모리 셀에 상기 가중치를 저장하는 메모리 컨트롤러를 포함하되, 상기 보조 비트는 상기 가중치가 저장되는 메모리 셀이 상기 인코딩 어드레스에 따라 선택되는 메모리 셀로 변경되어, 상기 다수의 메모리 셀 중 저장된 값이 고착값으로 고정되어 고착 결함이 발생된 고착 결함 메모리 셀의 고착값과 상기 가중치의 비트값이 매치되도록 설정되는 DNN을 위한 메모리 장치.
