탄소나노튜브 직접 인쇄방식에 의한 전계효과 트랜지스터 어레이의 제조방법 및 이에 의해 제조된 전계효과 트랜지스터 어레이
MANUFACTURING METHOD OF FIELD EFFECT TRANSISTOR ARRAY BY DIRECT CARBON NANOTUBE PRINTING AND FIELD EFFECT TRANSISTOR ARRAY MANUFACTURED BY THE SAME THEREOF
요약본 발명은 탄소나노튜브 직접 인쇄방식에 의한 전계효과 트랜지스터 어레이의 제조방법 및 이에 의해 제조된 전계효과 트랜지스터 어레이에 관한 것이다. 구체적으로 본 발명은 소스 및 드레인 전극 사이를 직접 인쇄방식을 통해 탄소나노튜브로 연결시킨 전계효과 트랜지스터 어레이의 제조방법 및 이에 의해 제조된 전계효과 트랜지스터 어레이에 관한 것이다. 본 발명에 따른 전계효과 트랜지스터 어레이의 제조방법은, 기판의 제약 없이 기판의 원하는 위치에 탄소나노튜브의 농도를 조절하여 증착이 가능하고, 전극 갭 위치에 탄소나노튜브를 프린팅하여 위치 조절에 매우 용이하며, 탄소나노튜브가 기판의 산화물과 닿지 않기 때문에 노이즈가 낮아 우수한 민감도를 나타낼 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 전계효과 트랜지스터 어레이의 제조방법은 추가 공정 없이도 탄소나노튜브를 원하는 위치에 인쇄할 수 있어 제작비용과 공정 시간을 현저히 줄일 수 있고, 저온 공정으로 이루어져 다양한 소자에 응용이 가능하다.
