요약본 발명의 양자점의 무용매 패터닝 방법은 기판을 마련하는 단계, 기판 상에 탄성체 마스크층을 적층하는 단계, 탄성체 마스크층 상에 패턴을 형성하는 단계, 형성된 패턴에 따라 탄성체 마스크층을 선택적으로 제거하는 단계 및, 선택적으로 제거된 탄성체 마스크층 상에 양자점층을 적층하는 단계를 포함한다. 이에 의해 본 발명은 탄성체 마스크층을 적용함으로써 무용매 패터닝 기법으로 고해상도 양자점 패턴을 구현할 수 있다. 본 발명은 (주)LGD와 산학협력 과제 (No. 20191395)의 지원을 받아 수행된 연구임.
