• 요약 플라즈마 식각 방법이 개시된다. 플라즈마 식각 방법은 액상의 헵타플루오로이소프로필 메틸 에테르(HFE-347mmy)를 증기화시키는 제1 단계, 상기 증기화된 HFE-347mmy와 산소 가스 및 아르곤 가스를 포함하는 방전가스를 식각 대상이 배치된 플라즈마 챔버에 공급하는 제2 단계, 및 상기 방전가스를 방전시켜 플라즈마를 생성하고, 이를 이용하여 상기 식각 대상을 플라즈마 식각하는 제3 단계를 포함할 수 있다.
  • 대표 도면
  • R&D 프로젝트 개인기초연구(과기정통부)(R&D)
  • 심판 위험 분석 심판 이력 없음
  • 청구항 전체

    탭을 클릭하면 로딩됩니다...

  • 인용문헌

    탭을 클릭하면 로딩됩니다...

  • 패밀리특허

    탭을 클릭하면 로딩됩니다...

  • 권리이전 이력

    탭을 클릭하면 로딩됩니다...

  • 전략기술 분류 반도체·디스플레이
    D1

  • 특허 강도 지표
    7
    청구항
    17
    인용
    1
    패밀리
    4
    권리이전

  • 출원번호 10-2023-0030171 KIPRIS
  • 출원일 2023-03-07
  • 공개번호
  • 공개일
  • 등록번호 10-2697-8650000
  • 등록일 2024-08-19

  • 현재 상태 등록료납부

  • IPC 코드 H10P 50/28; H10P 50/20; C09K 13/00

  • 대리인 박종수; 차상윤; 정지향; 남건필
  • 심사관 최상원

  • 원문 보기 KIPRIS 원문