• 요약 플라즈마 프로세싱 시스템은 기판 지지부를 포함하는 프로세싱 챔버를 포함한다. 플라즈마 생성기는 기판 지지부 상에 배치된 (arrange) 기판을 처리하기 위해 프로세싱 챔버 내에서 플라즈마를 선택적으로 생성하도록 구성된다. 이미터 (emitter) 는 프로세싱 챔버 내 플라즈마를 통해 제 1 테라헤르츠파들을 송신하도록 (transmit) 구성된다. 디텍터 (detector) 는 프로세싱 챔버 내에서 플라즈마를 통해 송신된 제 1 테라헤르츠파들에 대응하는 제 2 테라헤르츠파들을 수신하도록 구성된다.
  • 대표 도면
  • 심판 위험 분석 심판 이력 없음
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  • 전략기술 분류 반도체·디스플레이
    B1

  • 특허 강도 지표
    29
    청구항
    0
    인용
    1
    패밀리

  • 출원번호 10-2025-7005108 KIPRIS
  • 출원일 2023-07-18
  • 공개번호 10-2025-0055522
  • 공개일 2025-04-24
  • 등록번호
  • 등록일

  • 현재 상태 출원공개

  • IPC 코드 H01J 37/32

  • 대리인 특허법인인벤싱크
  • 심사관

  • 원문 보기 KIPRIS 원문