• 요약 본 발명은 기판; 상기 기판 상의 양단에 이격 배치된 금속 전극; 상기 금속 전극의 일측 상에 형성된 n형 TMDC(Transition metal dichalcogenide)층; 상기 금속 전극의 타측 상에 형성된 p형 TMDC층;을 포함하는, 이산화질소 검출 센서 및 이의 제조 방법을 제공한다.
  • 대표 도면
  • R&D 프로젝트 이공학학술연구기반구축
  • 심판 위험 분석 심판 이력 없음
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  • 전략기술 분류 반도체·디스플레이
    E1

  • 특허 강도 지표
    13
    청구항
    9
    인용
    0
    패밀리

  • 출원번호 10-2023-0097465 KIPRIS
  • 출원일 2023-07-26
  • 공개번호 10-2025-0016897
  • 공개일 2025-02-04
  • 등록번호
  • 등록일

  • 현재 상태 거절이유통지

  • IPC 코드 G01N 27/12; G01N 33/00

  • 대리인 김종선; 이형석
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