포토리소그래피용 언더레이어 화합물, 이를 이용하여 형성된 다층 구조 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
Underlayer compound for photolithography, multilayered structure formed using the same, and method for manufacturing semiconductor devices using the same
요약레지스트막의 해상도 및 감도를 향상시킬 수 있고 레지스트 패턴의 붕괴를 억제할 수 있으며 내식각성이 증가된 언더레이어가 제공된다. 상기 언더레이어는 화학식1로 표시되는 주석산화물 클러스터들이 서로 가교된 물질을 포함한다. [화학식1] [(R-Sn)12O14(OH)6]2+[Rx-]2 화학식1에서, R은 탄소수 1 내지 20의 알킬기이고, Rx-는 짝음이온으로 알킬 벤젠 설포네이트 음이온이다.
