• 요약 본 발명은 바디 플로팅 기법을 활용한 멀티 게이트 트랜지스터 선형화 전력증폭기에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 CMOS 공정을 활용하여 단일 칩 송수신기를 개발함에 있어서, 전력증폭기의 선형성을 확보하기 위한 선형화 기법을 사용함으로써 추가적인 회로도와 전력 없이 칩의 크기를 최소화할 수 있고, 저전력으로 선형성을 개선할 수 있으며, 트랜지스터의 비선형성으로 인해 신호 왜곡이 발생하는 문제를 해결할 수 있는 멀티 게이트 트랜지스터 선형화 전력증폭기에 관한 것이다.
  • 대표 도면
  • R&D 프로젝트 모빌리티ICT 핵심분야 선도기술개발 [2-6-6-] 차세대 통신 융합 선도 기술개발
  • 심판 위험 분석 심판 이력 없음
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  • 전략기술 분류 사이버보안
    A1

  • 특허 강도 지표
    7
    청구항
    14
    인용
    0
    패밀리
    3
    권리이전

  • 출원번호 10-2023-0174766 KIPRIS
  • 출원일 2023-12-05
  • 공개번호 10-2025-0085453
  • 공개일 2025-06-12
  • 등록번호 10-2883-3970000
  • 등록일 2025-11-04

  • 현재 상태 출원공개

  • IPC 코드 H03F 1/32; H03F 3/193

  • 대리인 박노춘
  • 심사관 전시범

  • 원문 보기 KIPRIS 원문