• 요약 본 발명은 클러스터 화합물 또는 이의 염 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물에 관한 것으로, 결합과 해리가 용이한 표면 분자를 도입하여 클러스터 화합물의 화학적 안정성을 확보하면서도 현저히 향상된 EUV 민감도를 가져, 우수한 민감도로 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있는 클러스터 화합물 또는 이의 염을 제공한다.
  • 대표 도면
  • R&D 프로젝트 소재부품기술개발-이종기술융합형; 국가반도체연구실지원핵심기술개발사업(R&D)
  • 심판 위험 분석 심판 이력 없음
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  • 전략기술 분류 수소
    A1

  • 특허 강도 지표
    17
    청구항
    8
    인용
    0
    패밀리

  • 출원번호 10-2023-0181703 KIPRIS
  • 출원일 2023-12-14
  • 공개번호 10-2024-0095046
  • 공개일 2024-06-25
  • 등록번호
  • 등록일

  • 현재 상태 출원공개

  • IPC 코드 C07F 7/22; G03F 7/004; G03F 7/038; G03F 7/20; H10P 76/00; H10D 30/67; H10D 48/00

  • 대리인 특허법인플러스
  • 심사관

  • 원문 보기 KIPRIS 원문