요약본 명세서는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 일 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법은, 기판상에 절연층이 형성되는 단계, 마이크로웨이브 열처리 공정이 수행되는 단계, 상기 절연층상에 도전층이 형성되는 단계 및 열처리 공정이 수행되는 단계를 포함할 수 있다.
대표 청구항기판상에 절연층이 형성되는 단계;마이크로웨이브 열처리 공정이 수행되는 단계;상기 절연층상에 도전층이 형성되는 단계; 및열처리 공정이 수행되는 단계를 포함하는반도체 장치의 제조방법.
