• 요약 본 발명에 따르면, 고온 열처리 과정을 필요로 하지 않고 스퍼터링 방식으로 공정 절차를 줄임과 동시에 공정변수의 조절을 통해 결정 내 결함 및 화학양론을 조절하여 우수한 압전 특성을 확보할 수 있다.
  • 대표 도면
  • R&D 프로젝트 개인기초연구(과기정통부)
  • 심판 위험 분석 심판 이력 없음
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  • 전략기술 분류 사이버보안
    A1

  • 특허 강도 지표
    10
    청구항
    10
    인용
    0
    패밀리
    4
    권리이전

  • 출원번호 10-2024-0055652 KIPRIS
  • 출원일 2024-04-25
  • 공개번호
  • 공개일
  • 등록번호 10-2858-1520000
  • 등록일 2025-09-05

  • 현재 상태 등록

  • IPC 코드 H10N 30/076; H10N 30/853; H10N 30/30

  • 대리인 특허법인(유한)아이시스
  • 심사관 조성찬

  • 원문 보기 KIPRIS 원문