요약본 발명은 수광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 제1도전형의 기판과, 상기 기판의 상부 가장자리 영역에 형성된 제2도전형의 가드링과, 상기 기판의 상부 중앙 영역에 형성된 제2도전형의 도핑층과, 산화막에 형성된 접촉창을 통해 상기 도핑층과 접촉되는 아노드전극과, 산화막에 형성된 접촉창을 통해 상기 가드링과 접촉되는 캐소드전극과, 상기 기판의 배면측에서 기판의 전면에 이온주입된 이온주입층과, 상기 기판의 배면에 형성된 반사방지막을 포함할 수 있다.
