NRF-TCC : 한국연구재단 기술사업화센터

요약 본 발명은 산화갈륨 전력 반도체의 상기 기판의 상부에 적층 형성된 산화갈륨 채널층, 소스 및 드레인 전극층의 상부에 절연층과 강유전체층이 1회 이상 교번하여 적층된 강유전체 게이트 스택층을 삽입하여, 향상 모드 및 고 이동도가 달성된 Ga2O3를 포함하는 산화갈륨 전력 반도체를 제공한다.

대표 도면

R&D 프로젝트 시장주도형K-센서기술개발

심판 위험 분석 심판 이력 없음

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전략기술 분류 반도체·디스플레이
A1
특허 강도 지표

13

청구항

0

인용

0

패밀리

3

권리이전
출원번호 10-2024-0124662 KIPRIS
출원일 2024-09-12
공개번호
공개일
등록번호 10-2867-4050000
등록일 2025-09-26
현재 상태 등록
IPC 코드 H10D 30/60; H10D 64/68; H10D 30/67; H10D 48/00
대리인 김연권
심사관 김상희
원문 보기 KIPRIS 원문